SK Hynix: Số lượng trung tâm dữ liệu sẽ tăng gấp đôi trong bốn năm tới và nhu cầu bộ nhớ sẽ thấy một làn sóng tăng trưởng mới

Gần đây, Li Xixi, CEO của SK Hynix, đã phân tích triển vọng tương lai của ngành công nghiệp bộ nhớ ở các điểm khác nhau trong thời gian. Ông đặc biệt nhấn mạnh rằng sự tăng trưởng về số lượng trung tâm dữ liệu quy mô cực lớn trong vài năm tới sẽ đóng vai trò hàng đầu trong việc hình thành các yêu cầu lưu trữ.

Bloomberg đã báo cáo vào ngày 22, Lee Seok-hee, CEO của SK Hynix, được đề cập trong một bài phát biểu vào ngày 21 mà các công nghệ mới như mạng 5G, trí tuệ nhân tạo và lái xe tự trị sẽ gây ra sự tăng trưởng theo cấp số nhân về khối lượng dữ liệu và băng thông. Đến năm 2025, số lượng trung tâm dữ liệu HyperScale sẽ tăng gấp ba đến 1.060. Và loại dữ liệu này là nền tảng của các trang mạng xã hội, trò chơi trực tuyến và các nhà máy thông minh. Ông nói: "Tổng số lượng dữ liệu có cấu trúc và không cấu trúc dự kiến ​​sẽ phát triển theo cấp số nhân. Nhìn vào các yêu cầu năng lực DRAM và NAND flash của mỗi trung tâm dữ liệu, các số là tuyệt vời."

Theo hãng tin Yonhap, Li Xixi cũng đã phân tích hướng trong tương lai của ngành công nghiệp bộ nhớ tại hội thảo vào ngày 22. Ông nói rằng trong kỷ nguyên chuyển đổi kỹ thuật số, vai trò của bộ nhớ sẽ được khuếch đại hơn nữa và nhu cầu về sự ổn định của bộ nhớ cũng sẽ tăng lên. Ngành công nghiệp bộ nhớ sẽ đối mặt với những thách thức trong mười năm tới và các công nghệ mới sẽ cần thiết để phát triển các quy trình DRAM dưới 10 nanomet và cho phép các ngăn xếp NAND vượt quá 600 lớp. Li Xixi giới thiệu rằng SK Hynix đã áp dụng công nghệ in thạch bản cực tím (EUV) và phát triển các vật liệu photoresist tiên tiến với các đối tác.

Ngoài ra, Li Xixi dự đoán rằng bộ nhớ sẽ được kết hợp với CPU trong mười năm. Để khắc phục giới hạn hiệu suất bộ nhớ, bộ nhớ sẽ được kết hợp với chip logic trong tương lai và một số chức năng điện toán CPU sẽ được thêm vào DRAM.