Công nghệ 3nm được công bố! Samsung chia sẻ chi tiết quá trình 3GAe mới nhất

Tại Hội nghị Mạch Trạng thái rắn Quốc tế IEEE gần đây, Samsung đã chia sẻ một số chi tiết về sản xuất chip GAE MBCFET của riêng mình.

Theo báo cáo mới nhất được phát hành bởi Digitimes, quy trình 3nm của TSMC sẽ bắt đầu sản xuất thử nghiệm trong nửa cuối năm nay. Trong những năm gần đây, sự cạnh tranh giữa Samsung và TSMC trong các quy trình công nghệ tiên tiến đã trở nên ngày càng khốc liệt. Mặc dù Samsung đã bị tụt lại phía sau TSMC, nhưng nó liên tục bắt kịp.

Được biết, về quy trình 3nm, TSMC vẫn khăng khăng sử dụng công nghệ Finfet, nhưng Samsung đã chọn chuyển sang các bóng bán dẫn Nanochip.

Theo TaeJoong Song, phó chủ tịch của Samsung Electronics tại cuộc họp, Transitor có cấu trúc Nano-Chip sẽ là một thiết kế thành công vì công nghệ này có thể cung cấp "tốc độ cao, tiêu thụ điện năng thấp và diện tích nhỏ".

Trên thực tế, ngay từ năm 2019, Samsung lần đầu tiên tuyên bố quá trình 3nm và làm rõ rằng nó sẽ từ bỏ Finfet. Samsung chia quá trình 3nm thành 3gae và 3GAP. Tại cuộc họp, Samsung cho biết, nút quy trình 3GAE sẽ đạt được sự cải thiện hiệu suất lên tới 30%, trong khi mức tiêu thụ điện có thể giảm 50% và mật độ bóng bán dẫn cũng có thể được tăng thêm 80%.

Bởi vì nó tụt lại phía sau TSMC tại các nút quy trình 7nm và 5nm, Samsung có hy vọng cao cho quá trình 3nm và hy vọng sử dụng các bóng bán dẫn Nanochip để vượt qua TSMC.

Được biết, quy trình 3GAe của Samsung dự kiến ​​sẽ được phát động chính thức vào năm 2022 và nhiều chi tiết được hiển thị tại cuộc họp cũng cho thấy Samsung đã tiến theo một bước nữa trong quy trình 3nm.

Đánh giá từ thời điểm ra mắt quy trình 3GAe của Samsung, Samsung và TSMC chắc chắn sẽ có một sự cạnh tranh mạnh mẽ hơn về các quy trình 3nm tiên tiến vào năm 2022.